KI4464DY Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KI4464DY  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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KI4464DY datasheet

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KI4464DY

SMD Type IC SMD Type IC N-Channel 200-V (D-S) MOSFET KI4464DY Features PWM Optimized for (Lowest Qg and Low RG) TrenchFET Power MOSFET Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol 10 secs Steady State Unit Drain-Source Voltage VDS 200 V Gate-Source Voltage VGS 20 Continuous Drain Current (TJ =150 ) TA =25 2.2 1.7 ID TA =70 1.7 1.3 A Pulsed Drain Current IDM 8 Single Avalan

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