KI4464DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KI4464DY
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
- Selección de transistores por parámetros
KI4464DY Datasheet (PDF)
ki4464dy.pdf

SMD Type ICSMD Type ICN-Channel 200-V (D-S) MOSFETKI4464DYFeaturesPWM Optimized for (Lowest Qg and Low RG)TrenchFET Power MOSFETAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 10 secs Steady State UnitDrain-Source Voltage VDS 200VGate-Source Voltage VGS 20Continuous Drain Current (TJ =150 ) TA =25 2.2 1.7IDTA =70 1.7 1.3APulsed Drain Current IDM 8Single Avalan
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: OSG65R099TT3ZF | HY3208AP | HY3003D | MTEE2N20FP | PK600BA | HY1607U | 4N70KG-TF2-T
History: OSG65R099TT3ZF | HY3208AP | HY3003D | MTEE2N20FP | PK600BA | HY1607U | 4N70KG-TF2-T



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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