KI4464DY Todos los transistores

 

KI4464DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KI4464DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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KI4464DY Datasheet (PDF)

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KI4464DY

SMD Type ICSMD Type ICN-Channel 200-V (D-S) MOSFETKI4464DYFeaturesPWM Optimized for (Lowest Qg and Low RG)TrenchFET Power MOSFETAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 10 secs Steady State UnitDrain-Source Voltage VDS 200VGate-Source Voltage VGS 20Continuous Drain Current (TJ =150 ) TA =25 2.2 1.7IDTA =70 1.7 1.3APulsed Drain Current IDM 8Single Avalan

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History: HRU50N06K | HRS70N06K | SQJ443EP | IPF060N03LG | STB57N65M5 | UF840KG-TQ2-T

 

 
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