KI4464DY Todos los transistores

 

KI4464DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KI4464DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

KI4464DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:49K  kexin
ki4464dy.pdf pdf_icon

KI4464DY

SMD Type ICSMD Type ICN-Channel 200-V (D-S) MOSFETKI4464DYFeaturesPWM Optimized for (Lowest Qg and Low RG)TrenchFET Power MOSFETAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 10 secs Steady State UnitDrain-Source Voltage VDS 200VGate-Source Voltage VGS 20Continuous Drain Current (TJ =150 ) TA =25 2.2 1.7IDTA =70 1.7 1.3APulsed Drain Current IDM 8Single Avalan

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: OSG65R099TT3ZF | HY3208AP | HY3003D | MTEE2N20FP | PK600BA | HY1607U | 4N70KG-TF2-T

 

 
Back to Top

 


 
.