KI4464DY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KI4464DY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 12 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
KI4464DY Datasheet (PDF)
ki4464dy.pdf
SMD Type ICSMD Type ICN-Channel 200-V (D-S) MOSFETKI4464DYFeaturesPWM Optimized for (Lowest Qg and Low RG)TrenchFET Power MOSFETAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 10 secs Steady State UnitDrain-Source Voltage VDS 200VGate-Source Voltage VGS 20Continuous Drain Current (TJ =150 ) TA =25 2.2 1.7IDTA =70 1.7 1.3APulsed Drain Current IDM 8Single Avalan
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918