KI4464DY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KI4464DY  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для KI4464DY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KI4464DY даташит

 ..1. Size:49K  kexin
 ki4464dy.pdf pdf_icon

KI4464DY

SMD Type IC SMD Type IC N-Channel 200-V (D-S) MOSFET KI4464DY Features PWM Optimized for (Lowest Qg and Low RG) TrenchFET Power MOSFET Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol 10 secs Steady State Unit Drain-Source Voltage VDS 200 V Gate-Source Voltage VGS 20 Continuous Drain Current (TJ =150 ) TA =25 2.2 1.7 ID TA =70 1.7 1.3 A Pulsed Drain Current IDM 8 Single Avalan

Другие IGBT... KI2341DS, KI2351DS, KI4300DY, KI4330DY, KI4390DY, KI4403BDY, KI4433DY, KI4453DY, IRF520, KI4500BDY, KI4501ADY, KI4501DY, KI4503DY, KI4505DY, KI4511DY, KI4532ADY, KI4532DY