KI4500BDY Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KI4500BDY  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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KI4500BDY datasheet

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KI4500BDY

SMD Type IC SMD Type Transistors Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel) KI4500BDY Features TrenchFET Power MOSFET Absolute Maximum Ratings TA =25 N-Channel P-Channel Parameter Symbol Unit 10 sec Steady State 10 sec Steady State Drain-Source Voltage VDS 20 -20 V Gate-Source Voltage VGS 12 12 V Continuous Drain Current TA =25 9.1 6.6 ?5.3 -3.8 A ID (TJ = 150 )* TA =70 7

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KI4500BDY

SMD Type IC SMD Type Transistors Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel) KI4501DY PIN Configuration Absolute Maximum Ratings TA =25 Parameter Symbol N-Channel P-Channel Unit Drain-Source Voltage VDS 30 -8 V Gate-Source Voltage VGS 20 8 V Continuous Drain Current (TJ = 150 )* TA =25 9 6.2 A ID TA =70 7.4 5.0 A Pulsed Drain Current IDM 30 20 A Continuous Source Current (D

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KI4500BDY

SMD Type IC SMD Type Transistors N- and P-Channel MOSFET KI4505DY Features TrenchFET Power MOSFET Absolute Maximum Ratings TA =25 N-Channel P-Channel Parameter Symbol Unit 10 sec Steady State 10 sec Steady State Drain-Source Voltage VDS 30 -8 V Gate-Source Voltage VGS 20 8 V Continuous Drain Current (TJ = 150 )* TA =25 7.8 6 -5 -3.8 A ID TA =70 6 5.2 -3.6 -3 A Pulsed Drain Curren

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KI4500BDY

SMD Type IC SMD Type Transistors Complementary (N- and P-Channel) MOSFET Half-Bridge KI4501ADY Features TrenchFET Power MOSFET Absolute Maximum Ratings TA = 25 N-Channel P-Channel Parameter Symbol Unit 10 sec Steady State 10 sec Steady State Drain-Source Voltage VDS 30 -8 V Gate-Source Voltage VGS 20 8 V Continuous Drain Current (TJ = 150 )* TA =25 8.8 6.3 -5.7 -4.1 A ID TA =70 7

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