KI4500BDY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KI4500BDY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 50 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
KI4500BDY Datasheet (PDF)
ki4500bdy.pdf
SMD Type ICSMD Type TransistorsComplementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel)KI4500BDYFeaturesTrenchFET Power MOSFETAbsolute Maximum Ratings TA =25N-Channel P-ChannelParameter Symbol Unit10 sec Steady State 10 sec Steady StateDrain-Source Voltage VDS 20 -20 VGate-Source Voltage VGS 12 12 VContinuous Drain Current TA =25 9.1 6.6 ?5.3 -3.8 AID(TJ = 150 )* TA =70 7
ki4501dy.pdf
SMD Type ICSMD Type TransistorsComplementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel)KI4501DYPIN ConfigurationAbsolute Maximum Ratings TA =25Parameter Symbol N-Channel P-Channel UnitDrain-Source Voltage VDS 30 -8 VGate-Source Voltage VGS 20 8 VContinuous Drain Current (TJ = 150 )* TA =25 9 6.2 AIDTA =70 7.4 5.0 APulsed Drain Current IDM 30 20 AContinuous Source Current (D
ki4505dy.pdf
SMD Type ICSMD Type TransistorsN- and P-Channel MOSFETKI4505DYFeaturesTrenchFET Power MOSFETAbsolute Maximum Ratings TA =25N-Channel P-ChannelParameter Symbol Unit10 sec Steady State 10 sec Steady StateDrain-Source Voltage VDS 30 -8 VGate-Source Voltage VGS 20 8 VContinuous Drain Current (TJ = 150 )* TA =25 7.8 6 -5 -3.8 AIDTA =70 6 5.2 -3.6 -3 APulsed Drain Curren
ki4501ady.pdf
SMD Type ICSMD Type TransistorsComplementary (N- and P-Channel) MOSFET Half-BridgeKI4501ADYFeaturesTrenchFET Power MOSFETAbsolute Maximum Ratings TA = 25N-Channel P-ChannelParameter Symbol Unit10 sec Steady State 10 sec Steady StateDrain-Source Voltage VDS 30 -8 VGate-Source Voltage VGS 20 8 VContinuous Drain Current (TJ = 150 )* TA =25 8.8 6.3 -5.7 -4.1 AIDTA =70 7
ki4503dy.pdf
SMD Type ICSMD Type TransistorsN- and P-Channel MOSFETKI4503DYFeaturesTrenchFET Power MOSFETAbsolute Maximum Ratings TA =25N-Channel P-ChannelParameter Symbol Unit10 sec Steady State 10 sec Steady StateDrain-Source Voltage VDS 30 -8 VGate-Source Voltage VGS 20 8 VContinuous Drain Current (TJ = 150 )* TA =25 8.8 6.3 -4.5 -3.8 AIDTA =70 7 5.2 -3.6 -3 APulsed Drain Cu
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918