KI4559EY Todos los transistores

 

KI4559EY MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KI4559EY

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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KI4559EY datasheet

 ..1. Size:57K  renesas
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KI4559EY

SMD Type IC SMD Type IC N-Channel 60-V (D-S), 175 MOSFET KI4559EY PIN Configuration Absolute Maximum Ratings TA =25 Parameter Symbol N-Channel P-Channel Unit Drain-Source Voltage VDS 60 -60 V Gate-Source Voltage VGS 20 20 V Continuous Drain Current (TJ =150 )* TA =25 4.5 3.1 A ID TA =70 3.8 2.6 A Pulsed Drain Current IDM 30 30 A Continuous Source Current (Diode Conduction)* IS 2-2A

 9.1. Size:56K  kexin
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KI4559EY

SMD Type IC SMD Type IC N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET KI4558DY PIN Configuration Absolute Maximum Ratings TA =25 Parameter Symbol N-Channel P-Channel Unit Drain-Source Voltage VDS 30 -30 V Gate-Source Voltage VGS 20 20 V Continuous Drain Current (TJ =150 )* TA =25 6 6 A ID TA =70 4.7 4.7 A Pulsed Drain Current IDM 30 30 A Continuous Source Current (Diode Conduction)* IS 2-2A

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