KI4559EY Todos los transistores

 

KI4559EY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KI4559EY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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KI4559EY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:57K  renesas
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KI4559EY

SMD Type ICSMD Type ICN-Channel 60-V (D-S), 175 MOSFETKI4559EYPIN ConfigurationAbsolute Maximum Ratings TA =25Parameter Symbol N-Channel P-Channel UnitDrain-Source Voltage VDS 60 -60 VGate-Source Voltage VGS 20 20 VContinuous Drain Current (TJ =150 )* TA =25 4.5 3.1 AIDTA =70 3.8 2.6 APulsed Drain Current IDM 30 30 AContinuous Source Current (Diode Conduction)* IS 2-2A

 9.1. Size:56K  kexin
 ki4558dy.pdf pdf_icon

KI4559EY

SMD Type ICSMD Type ICN- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFETKI4558DYPIN ConfigurationAbsolute Maximum Ratings TA =25Parameter Symbol N-Channel P-Channel UnitDrain-Source Voltage VDS 30 -30 VGate-Source Voltage VGS 20 20 VContinuous Drain Current (TJ =150 )* TA =25 6 6 AIDTA =70 4.7 4.7 APulsed Drain Current IDM 30 30 AContinuous Source Current (Diode Conduction)* IS 2-2A

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History: 7N65G-TF2-T | IRFBC40PBF | KI4562DY

 

 
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