Справочник MOSFET. KI4559EY

 

KI4559EY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KI4559EY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8

 Аналог (замена) для KI4559EY

 

 

KI4559EY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:57K  renesas
 ki4559ey.pdf

KI4559EY KI4559EY

SMD Type ICSMD Type ICN-Channel 60-V (D-S), 175 MOSFETKI4559EYPIN ConfigurationAbsolute Maximum Ratings TA =25Parameter Symbol N-Channel P-Channel UnitDrain-Source Voltage VDS 60 -60 VGate-Source Voltage VGS 20 20 VContinuous Drain Current (TJ =150 )* TA =25 4.5 3.1 AIDTA =70 3.8 2.6 APulsed Drain Current IDM 30 30 AContinuous Source Current (Diode Conduction)* IS 2-2A

 9.1. Size:56K  kexin
 ki4558dy.pdf

KI4559EY KI4559EY

SMD Type ICSMD Type ICN- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFETKI4558DYPIN ConfigurationAbsolute Maximum Ratings TA =25Parameter Symbol N-Channel P-Channel UnitDrain-Source Voltage VDS 30 -30 VGate-Source Voltage VGS 20 20 VContinuous Drain Current (TJ =150 )* TA =25 6 6 AIDTA =70 4.7 4.7 APulsed Drain Current IDM 30 30 AContinuous Source Current (Diode Conduction)* IS 2-2A

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top