KI4562DY Todos los transistores

 

KI4562DY MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KI4562DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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KI4562DY datasheet

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KI4562DY

SMD Type IC SMD Type IC N- and P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET KI4562DY PIN Configuration Absolute Maximum Ratings TA =25 Parameter Symbol N-Channel P-Channel Unit Drain-Source Voltage VDS 20 -20 V Gate-Source Voltage VGS 12 12 V Continuous Drain Current (TJ =150 )* TA =25 7.1 6.2 A ID TA =70 5.7 4.9 A Pulsed Drain Current IDM 40 40 A Continuous Source Current (Diode Conduction)* IS 1

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History: AO4832 | TMP4N65AZ

 

 
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