KI4562DY Todos los transistores

 

KI4562DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KI4562DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.6 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 25 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

KI4562DY Datasheet (PDF)

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KI4562DY

SMD Type ICSMD Type ICN- and P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETKI4562DYPIN ConfigurationAbsolute Maximum Ratings TA =25Parameter Symbol N-Channel P-Channel UnitDrain-Source Voltage VDS 20 -20 VGate-Source Voltage VGS 12 12 VContinuous Drain Current (TJ =150 )* TA =25 7.1 6.2 AIDTA =70 5.7 4.9 APulsed Drain Current IDM 40 40 AContinuous Source Current (Diode Conduction)* IS 1

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SDF07N50T

 

 
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