Справочник MOSFET. KI4562DY

 

KI4562DY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KI4562DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.6 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 25 nC
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8

 Аналог (замена) для KI4562DY

 

 

KI4562DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:56K  renesas
 ki4562dy.pdf

KI4562DY KI4562DY

SMD Type ICSMD Type ICN- and P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETKI4562DYPIN ConfigurationAbsolute Maximum Ratings TA =25Parameter Symbol N-Channel P-Channel UnitDrain-Source Voltage VDS 20 -20 VGate-Source Voltage VGS 12 12 VContinuous Drain Current (TJ =150 )* TA =25 7.1 6.2 AIDTA =70 5.7 4.9 APulsed Drain Current IDM 40 40 AContinuous Source Current (Diode Conduction)* IS 1

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top