KI4920DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KI4920DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KI4920DY

KI4920DY Datasheet (PDF)

..1. Size:50K kexin
ki4920dy.pdf

SMD Type ICSMD Type ICDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETKI4920DYFeaturesAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain-Source Voltage VDS 30VGate-Source Voltage VGS 20Continuous Drain Current (TJ = 150 )* TA =25 ID 6.9ATA =70 5.5Pulsed Drain Current IDM 40Continuous Source Current (Diode Conduction) * IS 1.7 ATA =25 2Maximum Power Dissipation * P

9.1. Size:51K kexin
ki4923dy.pdf

SMD Type ICSMD Type ICDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETKI4923DYFeaturesTrenchFET Power MOSFETSAdvanced High Cell Density Process1: Source 13: Source 22: Gate 1 4: Gate 27,8: Drain 1 5,6: Drain 2Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 10 secs Steady State UnitDrain-Source Voltage VDS -30VGate-Source Voltage VGS 20TA =25 -8.3 -6.2Continuous Drain Current

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Liste

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