KI4980DY Todos los transistores

 

KI4980DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KI4980DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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KI4980DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:49K  kexin
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KI4980DY

SMD Type ICSMD Type ICDual N-Channel 80-V (D-S) MOSFETKI4980DYFeaturesAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain-Source Voltage VDS 80VGate-Source Voltage VGS 20Continuous Drain Current (TJ = 150 )* TA =25 3.7IDTA =70 2.9 APulsed Drain Current IDM 30Continuous Source Current (Diode Conduction) * IS 1.7 ATA =25 2.0Maximum Power Dissipation *

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History: SIR846DP | SL21N65C | SI1025X | WMB049N12HG2 | LNC06R079 | WMK08N65C4

 

 
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