KI5908DC Todos los transistores

 

KI5908DC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KI5908DC

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm

Encapsulados: CHIPFET

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KI5908DC datasheet

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KI5908DC

SMD Type IC SMD Type IC Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET KI5908DC Features TrenchFET Power MOSFETS Ultra Low rDS(on) and Excellent Power Handling In Compact Footprint Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol 5secs Steady State Unit Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source Voltage VGS 8 Continuous Drain Current (TJ = 150 ) TA =25 5.9 4.4 ID TA =85 4.2 3.1 A Pulsed Drai

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KI5908DC

SMD Type IC SMD Type IC Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET KI5905DC Features Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol 5 secs Steady State Unit Drain-Source Voltage VDS -8 V Gate-Source Voltage VGS 8 TA =25 4.1 3.0 Continuous Drain Current (TJ = 150 ) * ID TA =85 2.9 2.2 A Pulsed Drain Current IDM 10 Continuous Source Current * IS -1.8 -0.9 TA =25 2.1 1.1 Maximum Power D

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KI5908DC

SMD Type IC SMD Type IC Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET KI5903DC Features Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol 5 secs Steady State Unit Drain-Source Voltage VDS -20 V Gate-Source Voltage VGS 12 TA =25 2.9 2.1 Continuous Drain Current (TJ = 150 ) * ID TA =85 2.1 1.5 A Pulsed Drain Current IDM 10 Continuous Source Current * IS -1.8 -0.9 TA =25 2.1 1.1 Maximum Power

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KI5908DC

SMD Type IC SMD Type IC Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET KI5902DC Features Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol 5secs Steady State Unit Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS 20 Continuous Drain Current (TJ = 150 ) TA =25 3.9 2.9 ID TA =85 2.8 2.1 A Pulsed Drain Current IDM 10 Continuous Source Current (Diode Conduction)* IS 4.8 0.9 Maximum Power Diss

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