KI5935DC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KI5935DC
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.086 Ohm
Paquete / Cubierta: CHIPFET
Búsqueda de reemplazo de KI5935DC MOSFET
KI5935DC Datasheet (PDF)
ki5935dc.pdf

SMD Type ICSMD Type ICDual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETKI5935DCFeaturesTrenchFET Power MOSFETSLow rDS(on) Dual and Excellent PowerHandling In A Compact FootprintAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 5 secs Steady State UnitDrain-Source Voltage VDS -20VGate-Source Voltage VGS 8TA =25 -4.1 -3.0Continuous Drain Current (TJ = 150 ) * IDTA =85 -2.9 -2.2AP
Otros transistores... KI5504DC , KI5513DC , KI5515DC , KI5902DC , KI5903DC , KI5904DC , KI5905DC , KI5908DC , IRFB4115 , KI5P03DY , KI6968BEDQ , KI7540DP , KMB075N75P , KMDF2C03HD , KML0D4N20E , KML0D4P20E , KN0606L .
History: STB60NE06L-16T4 | NTTFS3A08PZ | MI4800 | SFW027N100C3 | NTR1P02L | IRL3715S | FDBL0110N60
History: STB60NE06L-16T4 | NTTFS3A08PZ | MI4800 | SFW027N100C3 | NTR1P02L | IRL3715S | FDBL0110N60



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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