KI6968BEDQ Todos los transistores

 

KI6968BEDQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KI6968BEDQ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 12 V

Corriente continua de drenaje (Id): 5.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 1.6 V

Carga de compuerta (Qg): 12 nC

Tiempo de elevación (tr): 330 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.022 Ohm

Empaquetado / Estuche: TSSOP-8

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KI6968BEDQ Datasheet (PDF)

1.1. ki6968bedq.pdf Size:52K _update_mosfet

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SMD Type IC SMD Type MOSFET Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection KI6968BEDQ(SI6968BEDQ) TSSOP-8 Unit: mm Features VDS=20V,rDS(on)=0.022 @VGS=4.5V,ID=6.5A VDS=20V,rDS(on)=0.030 @VGS=2.5V,ID=5.5A N-Channel N-Channel * Typical value by design Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol 10 secs Steady State Unit Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Sou

Otros transistores... NTF5P03T3 , NTF6P02 , NTGD1100L , NTGD3148N , NTGD4161P , NTGD4167C , NTGS3130N , NTGS3136P , IRF540N , NTGS3441 , NTGS3443 , NTGS3446 , NTGS3455 , NTGS4111P , NTGS4141N , NTGS5120P , NTHC5513 .

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MOSFET: NVJD4152P | NVGS5120P | NVGS4141N | NVGS4111P | NVGS3443 | NVGS3441 | NVGS3136P | NVGS3130N | NVF6P02 | NVF5P03 | NVF3055L108 | NVF3055-100 | NVF2955 | NVF2201N | NVE4153N |

 

 

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