KML0D4N20E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KML0D4N20E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 0.21 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 6 V
Corriente continua de drenaje (Id): 0.4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 1 V
Carga de compuerta (Qg): 555 nC
Tiempo de elevación (tr): 3 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 15 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.7 Ohm
Empaquetado / Estuche: SOT-416
Búsqueda de reemplazo de MOSFET KML0D4N20E
KML0D4N20E Datasheet (PDF)
1.1. kml0d4n20e.pdf 
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SEMICONDUCTOR KML0D4N20E TECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFET General Description It s mainly suitable for Load Switching Mobile Phones, Battery Powered Systems and Level-Shifter. FEATURES ·VDSS=20V, ID=0.4A ·Drain-Soure ON Resistance : RDS(ON)=0.70Ω @ VGS=4.5V : RDS(ON)=0.85Ω @ VGS=2.5V : RDS(ON)=1.25Ω @ VGS=1.8V ·Super High Dense Cell Design MAXIMUM RATING (Ta=25℃) CHAR
1.2. kml0d4n20v.pdf Size:377K _kec
SEMICONDUCTOR KML0D4N20V TECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFET General Description It’s mainly suitable for Load Switching Cell Phones, Battery Powered Systems and Level-Shifter. E B DIM MILLIMETERS 2 FEATURES _ A 1.2 +0.05 _ B 0.8 +0.05 ·VDSS=20V, ID=0.4A 1 3 _ C 0.5 + 0.05 ·Drain-Soure ON Resistance _ D 0.3 + 0.05 _ E 1.2 + 0.05 : RDS(ON)=0.70Ω @ VGS=4.5V _ G 0.8 +
1.3. kml0d4n20tv.pdf Size:743K _kec
SEMICONDUCTOR KML0D4N20TV TECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFET General Description It s mainly suitable for Load Switching Cell Phones, Battery Powered E Systems and Level-Shifter. B 2 DIM MILLIMETERS FEATURES _ 1 A 1.2 +0.05 3 _ B 0.8 +0.05 ·VDSS=20V, ID=0.4A C 0.34 Max ·Drain-Soure ON Resistance _ D 0.3 + 0.05 _ E 1.2 + 0.05 : RDS(ON)=0.70Ω @ VGS=4.5V _ F 0.8 + 0.05
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