PHB2N60E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PHB2N60E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT404

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHB2N60E

PHB2N60E Datasheet (PDF)

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php2n60e phb2n60e phd2n60e.pdf

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP2N60E, PHB2N60E, PHD2N60E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 1.9 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 6 sGENERAL DESCRIPTIONN-chan

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phb2n50 1.pdf

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor PHB2N50 GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 500 Vmounting featuring high avalanche ID Drain current (DC) 2 Aenergy capability, stable off-state Ptot Total power dis

9.2. Size:73K philips
php2n50e phb2n50e phd2n50e.pdf

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP2N50E, PHB2N50E, PHD2N50E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 2 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 5 sGENERAL DESCRIPTIONN-channe

Otros transistores... OM5N100SA , OM6N100SA , PHB11N50E , PHB125N06LT , PHB130N03LT , PHB21N06LT , PHB24N03LT , PHB2N50E , 2SK3878 , PHB37N06LT , PHB3N40E , PHB3N50E , PHB3N60E , PHB42N03LT , PHB44N06LT , PHB45N03LT , PHB4N60E .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: