KP979B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KP979B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 206 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 65 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
Encapsulados: KT-56
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KP979B datasheet
kp979b.pdf
Syntez Microelectronics KP979B SILICON MOS N-CHANNEL POWER TRANSISTOR 150 W, up to 230 MHz, Enhancement Mode The silicon MOS transistor is designed for professional transmitter applications in the HF/VHF frequency range. Features Performance at 230 MHz, 28 Vdc Power Gain 13 dB Min Output Power 150 W Efficiency 50 % Min Absolute Maximum Ratings Parameters Sym Value U
kp979a.pdf
Syntez Microelectronics KP979A SILICON MOS N-CHANNEL POWER TRANSISTOR 60 W, up to 230 MHz, Enhancement Mode The silicon MOS transistor is designed for professional transmitter applications in the HF/VHF frequency range. Features Performance at 230 MHz, 28 Vdc Power Gain 14 dB Min Output Power 60 W Efficiency 50 % Min Absolute Maximum Ratings Parameters Sym Value Uni
kp979vc.pdf
Syntez Microelectronics KP979VC SILICON MOS N-CHANNEL POWER TRANSISTOR 300 W, up to 230 MHz, Enhancement Mode The silicon MOS transistor is designed for professional transmitter applications in the HF/VHF frequency range. Features Performance at 230 MHz, 50 Vdc Power Gain 14 dB Min Output Power 300 W Efficiency 50 % Min Absolute Maximum Ratings Parameters Sym Value
Otros transistores... KP8N60F , KP8N65D , KP977AC , KP978A , KP978BC , KP978GC , KP978VC , KP979A , SI2302 , KP979VC , KP980A , KP981A , KP981BC , KP981VC , KPA1716 , KPA1750 , KPA1758 .
History: KP978BC
History: KP978BC
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