KP979VC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KP979VC
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 460 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 120 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 40 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
Encapsulados: KT-82
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KP979VC datasheet
kp979vc.pdf
Syntez Microelectronics KP979VC SILICON MOS N-CHANNEL POWER TRANSISTOR 300 W, up to 230 MHz, Enhancement Mode The silicon MOS transistor is designed for professional transmitter applications in the HF/VHF frequency range. Features Performance at 230 MHz, 50 Vdc Power Gain 14 dB Min Output Power 300 W Efficiency 50 % Min Absolute Maximum Ratings Parameters Sym Value
kp979a.pdf
Syntez Microelectronics KP979A SILICON MOS N-CHANNEL POWER TRANSISTOR 60 W, up to 230 MHz, Enhancement Mode The silicon MOS transistor is designed for professional transmitter applications in the HF/VHF frequency range. Features Performance at 230 MHz, 28 Vdc Power Gain 14 dB Min Output Power 60 W Efficiency 50 % Min Absolute Maximum Ratings Parameters Sym Value Uni
kp979b.pdf
Syntez Microelectronics KP979B SILICON MOS N-CHANNEL POWER TRANSISTOR 150 W, up to 230 MHz, Enhancement Mode The silicon MOS transistor is designed for professional transmitter applications in the HF/VHF frequency range. Features Performance at 230 MHz, 28 Vdc Power Gain 13 dB Min Output Power 150 W Efficiency 50 % Min Absolute Maximum Ratings Parameters Sym Value U
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