KP981VC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KP981VC
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 87.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 VCossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
Paquete / Cubierta: KT-81
Búsqueda de reemplazo de MOSFET KP981VC
KP981VC Datasheet (PDF)
kp981vc.pdf
Syntez MicroelectronicsSILICON MOS N-CHANNEL RF POWER TRANSISTORKP981VC20 W, up to 500 MHz, Enhancement Mode________________________________________________Designed primarily for wideband largesignal outputand driver from 30500 MHz.Features: Performance at 500 MHz, 12.5 Vdc Power Gain: 10 dB Min Output Power: 20 W Efficiency: 50 % MinAbsolute Maximum Rating
kp981a.pdf
Syntez MicroelectronicsSILICON MOS N-CHANNEL RF POWER TRANSISTORKP981A5 W, up to 500 MHz, Enhancement Mode________________________________________________Designed primarily for wideband largesignal outputand driver from 30500 MHz.Features: Performance at 500 MHz, 12.5 Vdc Power Gain: 10 dB Min Output Power: 5 W Efficiency: 50 % MinAbsolute Maximum Ratings
kp981bc.pdf
Syntez MicroelectronicsSILICON MOS N-CHANNEL RF POWER TRANSISTORKP981BC10 W, up to 500 MHz, Enhancement Mode________________________________________________Designed primarily for wideband largesignal outputand driver from 30500 MHz.Features: Performance at 500 MHz, 12.5 Vdc Power Gain: 10 dB Min Output Power: 10 W Efficiency: 50 % MinAbsolute Maximum Rating
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Liste
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