KPA1890 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KPA1890
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 227 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
Paquete / Cubierta: TSSOP-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET KPA1890
KPA1890 Datasheet (PDF)
kpa1890.pdf
SMD Type ICSMD Type ICMOS Field Effect TransistorKPA1890FeaturesTSSOP-8Unit: mmCan be driven by a 4.0-V power sourceLow on-state resistanceN-channel RDS(on)1 =27 m MAX. (VGS =10 V, ID =3.0 A)RDS(on)2 =37 m MAX. (VGS =4.5 V, ID =3.0 A)RDS(on)3 =47 m MAX. (VGS =4.0 V, ID =3 A)P-channel RDS(on)1 =37m MAX. (VGS =-10 V, ID =-2.5 A)RDS(on)2 =56 m MAX. (VGS =-4.5V, ID =-2.5 A
kpa1871.pdf
SMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICProduct specificationKPA1871FeaturesTSSOP-8Unit: mmCan be driven by a 2.5-V power sourceLow on-state resistanceRDS(on)1 =26 m TYP. (VGS =4.5 V, ID =3.0 A)RDS(on)2 =27 m TYP. (VGS =4.0 V, ID =3.0 A)RDS(on)3 =38 m TYP. (VGS =2.5 V, ID =3.0 A)Built-in G-S protection diode against ESD5: Gate21: Dra
kpa1816.pdf
SMD TypeSMD TypeSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICProduct specificationKPA1816TSSOP-8Features Unit: mm1.8V drive availableLow on-state resistanceRDS(on)1 =15 m TYP. (VGS =-4.5V, ID =-4.5A)RDS(on)2 =16 m TYP. (VGS =-4.0V, ID =-4.5A)RDS(on)3 = 22.5 m TYP. (VGS =-2.5 V, ID =-4.5A)1, 2, 3 : SourceRDS(on)4 = 41.5 m TYP. (VGS =-1.8 V
kpa1873.pdf
SMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICProduct specificationKPA1873TSSOP-8FeaturesUnit: mm2.5 V drive availableLow on-state resistanceRDS(on)1 =23 m TYP. (VGS =4.5 V, ID =3.0 A)RDS(on)2 =24 m TYP. (VGS =4.0 V, ID =3.0 A)RDS(on)3 =28 m TYP. (VGS =3.1 V, ID =3.0 A)5: Gate21: Drain1RD
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Liste
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