KPA1890 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KPA1890
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 80 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 227 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
Тип корпуса: TSSOP-8
KPA1890 Datasheet (PDF)
kpa1890.pdf
SMD Type ICSMD Type ICMOS Field Effect TransistorKPA1890FeaturesTSSOP-8Unit: mmCan be driven by a 4.0-V power sourceLow on-state resistanceN-channel RDS(on)1 =27 m MAX. (VGS =10 V, ID =3.0 A)RDS(on)2 =37 m MAX. (VGS =4.5 V, ID =3.0 A)RDS(on)3 =47 m MAX. (VGS =4.0 V, ID =3 A)P-channel RDS(on)1 =37m MAX. (VGS =-10 V, ID =-2.5 A)RDS(on)2 =56 m MAX. (VGS =-4.5V, ID =-2.5 A
kpa1871.pdf
SMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICProduct specificationKPA1871FeaturesTSSOP-8Unit: mmCan be driven by a 2.5-V power sourceLow on-state resistanceRDS(on)1 =26 m TYP. (VGS =4.5 V, ID =3.0 A)RDS(on)2 =27 m TYP. (VGS =4.0 V, ID =3.0 A)RDS(on)3 =38 m TYP. (VGS =2.5 V, ID =3.0 A)Built-in G-S protection diode against ESD5: Gate21: Dra
kpa1816.pdf
SMD TypeSMD TypeSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICProduct specificationKPA1816TSSOP-8Features Unit: mm1.8V drive availableLow on-state resistanceRDS(on)1 =15 m TYP. (VGS =-4.5V, ID =-4.5A)RDS(on)2 =16 m TYP. (VGS =-4.0V, ID =-4.5A)RDS(on)3 = 22.5 m TYP. (VGS =-2.5 V, ID =-4.5A)1, 2, 3 : SourceRDS(on)4 = 41.5 m TYP. (VGS =-1.8 V
kpa1873.pdf
SMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICProduct specificationKPA1873TSSOP-8FeaturesUnit: mm2.5 V drive availableLow on-state resistanceRDS(on)1 =23 m TYP. (VGS =4.5 V, ID =3.0 A)RDS(on)2 =24 m TYP. (VGS =4.0 V, ID =3.0 A)RDS(on)3 =28 m TYP. (VGS =3.1 V, ID =3.0 A)5: Gate21: Drain1RD
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918