PHB3N60E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHB3N60E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.4 Ohm

Encapsulados: SOT404

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PHB3N60E datasheet

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PHB3N60E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP3N60E, PHB3N60E Avalanche energy rated FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA d Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 2.8 A g Low thermal resistance RDS(ON) 4.4 s GENERAL DESCRIPTION N-channel, enh

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PHB3N60E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP3N40E, PHB3N40E, PHD3N40E Avalanche energy rated FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA d Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 400 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 2.5 A g Low thermal resistance RDS(ON) 3.5 s GENERAL DESCRIPTION N-ch

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PHB3N60E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP3N50E, PHB3N50E Avalanche energy rated FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA d Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 3.4 A g Low thermal resistance RDS(ON) 3 s GENERAL DESCRIPTION N-channel, enhan

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