KQB6N70 Todos los transistores

 

KQB6N70 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KQB6N70
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 142 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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KQB6N70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:221K  tysemi
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KQB6N70

SMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMDTypeSMDType ICProduct specificationKQB6N70TO-263Unit: mmFeatures4.57+0.26.2A, 700 V. RDS(ON) =1.5 @VGS =10V -0.2+0.11.27-0.1Low

 9.1. Size:203K  tysemi
 kqb6n25.pdf pdf_icon

KQB6N70

SMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMDTypeSMDType ICProduct specificationKQB6N25TO-263Unit: mmFeatures4.57+0.2-0.2+0.11.27-0.15.5A, 500 V. RDS(ON) =1 @VGS =10 VLow gate charge (typical 6.6nC)Low Crss(typical 7.5pF)Fast switching

Otros transistores... KQB3N30 , KQB3N40 , KQB4N50 , KQB4P40 , KQB5N20 , KQB5N60 , KQB630 , KQB6N25 , BS170 , KQB9N50 , KQD1P50 , KQD3P50 , KQD5P10 , KQS4900 , KQS4901 , KRF1302S , KRF2805S .

History: 2SK1608 | AO4294 | SM1A18NSQG | IPB031NE7N3G | FHF10N65A | NCE8205I

 

 
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