KQB6N70 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KQB6N70
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 142 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KQB6N70

KQB6N70 Datasheet (PDF)

..1. Size:221K tysemi
kqb6n70.pdf

SMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMDTypeSMDType ICProduct specificationKQB6N70TO-263Unit: mmFeatures4.57+0.26.2A, 700 V. RDS(ON) =1.5 @VGS =10V -0.2+0.11.27-0.1Low

9.1. Size:203K tysemi
kqb6n25.pdf

SMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMDTypeSMDType ICProduct specificationKQB6N25TO-263Unit: mmFeatures4.57+0.2-0.2+0.11.27-0.15.5A, 500 V. RDS(ON) =1 @VGS =10 VLow gate charge (typical 6.6nC)Low Crss(typical 7.5pF)Fast switching

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: