KQB6N70 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KQB6N70
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 142 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
Encapsulados: TO-263
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KQB6N70 datasheet
kqb6n70.pdf
SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMDType SMDType IC Product specification KQB6N70 TO-263 Unit mm Features 4.57+0.2 6.2A, 700 V. RDS(ON) =1.5 @VGS =10V -0.2 +0.1 1.27-0.1 Low
kqb6n25.pdf
SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type IC SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMDType SMDType IC Product specification KQB6N25 TO-263 Unit mm Features 4.57+0.2 -0.2 +0.1 1.27-0.1 5.5A, 500 V. RDS(ON) =1 @VGS =10 V Low gate charge (typical 6.6nC) Low Crss(typical 7.5pF) Fast switching
Otros transistores... KQB3N30 , KQB3N40 , KQB4N50 , KQB4P40 , KQB5N20 , KQB5N60 , KQB630 , KQB6N25 , IRF730 , KQB9N50 , KQD1P50 , KQD3P50 , KQD5P10 , KQS4900 , KQS4901 , KRF1302S , KRF2805S .
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