KRF2805S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KRF2805S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 135 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 150 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1190 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0047 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
KRF2805S Datasheet (PDF)
krf2805s.pdf

SMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type ICSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsSMD Type TransistorsProduct specificationKRF2805STO-263Unit: mmFeaturesAdvanced Process Technology4.57+0.2-0.2+0.11.27-0.1Ultra Low On-ResistanceDynamic dv/dt Rating175 Operating TemperatureFast Switching+0.10.1max1.27-0.1Repetitive Avalanche
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History: FTK138 | TMPF5N50SG | AP60N03GH | SIHFI530G | PHP6N60E
History: FTK138 | TMPF5N50SG | AP60N03GH | SIHFI530G | PHP6N60E



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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