PHB44N06LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHB44N06LT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 114 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 VQgⓘ - Carga de la puerta: 27.5 nC
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT404
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHB44N06LT
PHB44N06LT Datasheet (PDF)
phb44n06lt.pdf
Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHB44N06LT Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 55 Vmounting. Using trench technology ID Drain current (DC) 44 Athe device fea
phb44n06t 1.pdf
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Liste
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