Справочник MOSFET. PHB44N06LT

 

PHB44N06LT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHB44N06LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SOT404
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PHB44N06LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:55K  philips
 phb44n06lt.pdf pdf_icon

PHB44N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHB44N06LT Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 55 Vmounting. Using trench technology ID Drain current (DC) 44 Athe device fea

 6.1. Size:56K  philips
 phb44n06t 1.pdf pdf_icon

PHB44N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHB44N06T Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 55 Vsuitable for surface mounting. Using ID Drain current (DC) 44 Atrench technology the devic

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: MTM55N08 | KF5N53DS | 2SK610 | 2SK2525-01 | 2SK3479-Z | AP55T10GH-HF | ZVP1320FTC

 

 
Back to Top

 


 
.