KRF9952 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KRF9952
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
- Selección de transistores por parámetros
KRF9952 Datasheet (PDF)
krf9952.pdf

SMD Type ICSMD Type ICHEXFET Power MOSFETKRF9952FeaturesGeneration V TechnologyUltra Low On-ResistanceDual N and P Channel MOSFETSurface MountVery Low Gate Charge and Switching LossesFully Avalanche Rated1 : Source1 5: Drain22: Gate1 6: Drain23 : Source2 7: Drain14: Gate2 8: Drain1Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol N-Channel P-Channel UnitDrain-So
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: STN4488L | BUK7Y153-100E | BSC030P03NS3G | BRCS120P04ZC | VN2110 | AOP605 | IMW120R140M1H
History: STN4488L | BUK7Y153-100E | BSC030P03NS3G | BRCS120P04ZC | VN2110 | AOP605 | IMW120R140M1H



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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