KRF9952 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KRF9952

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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KRF9952 datasheet

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KRF9952

SMD Type IC SMD Type IC HEXFET Power MOSFET KRF9952 Features Generation V Technology Ultra Low On-Resistance Dual N and P Channel MOSFET Surface Mount Very Low Gate Charge and Switching Losses Fully Avalanche Rated 1 Source1 5 Drain2 2 Gate1 6 Drain2 3 Source2 7 Drain1 4 Gate2 8 Drain1 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol N-Channel P-Channel Unit Drain-So

Otros transistores... KRF7703, KRF7706, KRF7750, KRF7756, KRF7805Z, KRF8910, KRF9610S, KRF9640S, AON7506, KRFR6215, KRFR9210, KRFR9310, KRLML0100, KRLML2502, KRLML6402, KSO200P03S, KSP230