Справочник MOSFET. KRF9952

 

KRF9952 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KRF9952
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8

 Аналог (замена) для KRF9952

 

 

KRF9952 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:69K  kexin
 krf9952.pdf

KRF9952 KRF9952

SMD Type ICSMD Type ICHEXFET Power MOSFETKRF9952FeaturesGeneration V TechnologyUltra Low On-ResistanceDual N and P Channel MOSFETSurface MountVery Low Gate Charge and Switching LossesFully Avalanche Rated1 : Source1 5: Drain22: Gate1 6: Drain23 : Source2 7: Drain14: Gate2 8: Drain1Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol N-Channel P-Channel UnitDrain-So

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top