KSO200P03S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KSO200P03S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 470 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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KSO200P03S datasheet

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KSO200P03S

SMD Type IC SMD Type MOSFET Product specification KSO200P03S(BSO200P03S) Features P-Channel Enhancement mode Logic level Avalanche rated dv /dt rated Ideal for fast switching buck converter Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol 10 secs steady state Unit Continuous drain current TA=25 -9.1 -7.4 ID A TA=70 -7.3 -5.9 Pulsed drain current TA=25 I DP -37 A Avalanche ener

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