KSO200P03S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KSO200P03S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 40 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 470 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

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KSO200P03S Datasheet (PDF)

..1. Size:112K tysemi
kso200p03s.pdf

SMD Type ICSMD Type MOSFETProduct specificationKSO200P03S(BSO200P03S)FeaturesP-ChannelEnhancement modeLogic levelAvalanche rateddv /dt ratedIdeal for fast switching buck converterAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 10 secs steady state UnitContinuous drain current TA=25 -9.1 -7.4ID ATA=70 -7.3 -5.9Pulsed drain current TA=25 I DP -37 AAvalanche ener

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Liste

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