KSO200P03S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KSO200P03S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для KSO200P03S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KSO200P03S даташит

 ..1. Size:112K  tysemi
 kso200p03s.pdf pdf_icon

KSO200P03S

SMD Type IC SMD Type MOSFET Product specification KSO200P03S(BSO200P03S) Features P-Channel Enhancement mode Logic level Avalanche rated dv /dt rated Ideal for fast switching buck converter Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol 10 secs steady state Unit Continuous drain current TA=25 -9.1 -7.4 ID A TA=70 -7.3 -5.9 Pulsed drain current TA=25 I DP -37 A Avalanche ener

Другие IGBT... KRF9640S, KRF9952, KRFR6215, KRFR9210, KRFR9310, KRLML0100, KRLML2502, KRLML6402, IRFP250, KSP230, KSP92, KSS138, KSS84, KTD2005, KTD2017, KTHC5513, KTHD3100C