KSO200P03S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: KSO200P03S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.56 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для KSO200P03S
KSO200P03S Datasheet (PDF)
kso200p03s.pdf

SMD Type ICSMD Type MOSFETProduct specificationKSO200P03S(BSO200P03S)FeaturesP-ChannelEnhancement modeLogic levelAvalanche rateddv /dt ratedIdeal for fast switching buck converterAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 10 secs steady state UnitContinuous drain current TA=25 -9.1 -7.4ID ATA=70 -7.3 -5.9Pulsed drain current TA=25 I DP -37 AAvalanche ener
Другие MOSFET... KRF9640S , KRF9952 , KRFR6215 , KRFR9210 , KRFR9310 , KRLML0100 , KRLML2502 , KRLML6402 , STF13NM60N , KSP230 , KSP92 , KSS138 , KSS84 , KTD2005 , KTD2017 , KTHC5513 , KTHD3100C .
History: MDS3754ARH | IXFV12N90P | IPB80P03P4-05 | PMV30UN2 | AP3A010MT | MDQ18N50GTP | BSS138TA
History: MDS3754ARH | IXFV12N90P | IPB80P03P4-05 | PMV30UN2 | AP3A010MT | MDQ18N50GTP | BSS138TA



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTE6888A | JMTE3003A | JMTE3002B | JMTE068N07A | JMTE060N06A | JMTE035N06D | JMTE035N04A | JMTE025N04D | JMTE018N03A | JMTD3134K | JMTD2N7002KS | JMSL1509PG | JMSL10A13P | JMSL10A13L | JMSL10A13K | JMSL1010PU
Popular searches
2sc828 | 2n4125 | tip42c transistor | c1815 transistor datasheet | mj15003 | 2sa1015 | ksc3503 | c945 transistor datasheet