KSS84 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KSS84
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de KSS84 MOSFET
KSS84 Datasheet (PDF)
kss84.pdf

SMD Type ICSMD Type TransistorsP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorKSS84SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4-0.13FeaturesLow On-ResistanceLow Gate Threshold Voltage12Low Input Capacitance+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.1Fast Switching SpeedLow Input/Output Leakage1.BaseAlso Available in Lead Free Version 1. Gate2.Emitter2. Source
Otros transistores... KRFR9310 , KRLML0100 , KRLML2502 , KRLML6402 , KSO200P03S , KSP230 , KSP92 , KSS138 , 13N50 , KTD2005 , KTD2017 , KTHC5513 , KTHD3100C , KTK7132E , KTS1C1S250 , KTS3C3F30L , KU310N10F .
History: PHN210 | 2SJ169 | SM4606 | VBM165R02 | IPS135N03LG | BSC027N04LSG | GP1M018A020XX
History: PHN210 | 2SJ169 | SM4606 | VBM165R02 | IPS135N03LG | BSC027N04LSG | GP1M018A020XX



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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