KSS84 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KSS84

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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KSS84 datasheet

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KSS84

SMD Type IC SMD Type Transistors P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor KSS84 SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4-0.1 3 Features Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage 12 Low Input Capacitance +0.1 +0.05 0.95-0.1 0.1-0.01 +0.1 1.9-0.1 Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage 1.Base Also Available in Lead Free Version 1. Gate 2.Emitter 2. Source

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