KSS84 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KSS84
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.13 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для KSS84
KSS84 Datasheet (PDF)
kss84.pdf

SMD Type ICSMD Type TransistorsP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorKSS84SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4-0.13FeaturesLow On-ResistanceLow Gate Threshold Voltage12Low Input Capacitance+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.1Fast Switching SpeedLow Input/Output Leakage1.BaseAlso Available in Lead Free Version 1. Gate2.Emitter2. Source
Другие MOSFET... KRFR9310 , KRLML0100 , KRLML2502 , KRLML6402 , KSO200P03S , KSP230 , KSP92 , KSS138 , 10N65 , KTD2005 , KTD2017 , KTHC5513 , KTHD3100C , KTK7132E , KTS1C1S250 , KTS3C3F30L , KU310N10F .
History: KTS3C3F30L | 2SK316 | EMBA5P06J
History: KTS3C3F30L | 2SK316 | EMBA5P06J



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP90N02NF | AP90N02D | AP8V06S | AP8P04S | AP8P04MI | AP8N10MI | AP8N06SI | AP8H06S | AP8H04S | AP8H04DF | AP8814A | AP85N04NF | AP8205S | AP8205A-21 | AP80P10D | AP50N20MP
Popular searches
mj15003 | 2sa1015 | ksc3503 | c945 transistor datasheet | bt137 datasheet | 2n2907a datasheet | irfz24n | bd135