PHB65N06LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PHB65N06LT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 63 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT404

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHB65N06LT

PHB65N06LT Datasheet (PDF)

..1. Size:56K philips
phb65n06lt.pdf

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6.1. Size:55K philips
phb65n06t 1.pdf

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Liste

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