KUP75N08 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KUP75N08
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 121 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 820 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KUP75N08

KUP75N08 Datasheet (PDF)

..1. Size:143K tysemi
kup75n08.pdf

SMDType ICDIP Type MOSFETProduct specificationKUP75N08 Features VDS=75V,RDS(on)=0.009@VGS=10V,ID=30A VDS=75V,RDS(on)=0.011@VGS=4.5V,ID=20A 1 Gate2 Drain3 Source Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain- Source Voltage VDS 75 VGate-to-Source Voltage VGS 20 VID 75Continuous Drain Current @TC 25 =@TC

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IRFF9130

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: