KUP75N08. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KUP75N08

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 820 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для KUP75N08

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KUP75N08 даташит

 ..1. Size:143K  tysemi
 kup75n08.pdf pdf_icon

KUP75N08

SMDType IC DIP Type MOSFET Product specification KUP 75N08 Features VDS=75V,RDS(on)=0.009 @VGS=10V,ID=30A VDS=75V,RDS(on)=0.011 @VGS=4.5V,ID=20A 1 Gate 2 Drain 3 Source Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain- Source Voltage VDS 75 V Gate-to-Source Voltage VGS 20 V ID 75 Continuous Drain Current @TC 25 = @TC

Другие IGBT... KUK7575-100A, KUK7604-40A, KUK7605-30A, KUK7606-55A, KUK7606-55B, KUK7606-75B, KUK7607-30B, KUK7607-55B, 60N06, KVN4424Z, KVN4525E6, KVN4525Z, KVP4424Z, KW306, KX020N06, KX7N10L, KXP20N15