KVN4525E6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KVN4525E6
   Código: N52
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 40 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.23 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.8 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 2.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 1.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-163

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KVN4525E6

KVN4525E6 Datasheet (PDF)

..1. Size:56K kexin
kvn4525e6.pdf

SMD Type ICSMD Type Transistors250V N-Channel Enhancement Mode MOSFETKVN4525E6Unit: mmFeaturesHigh voltageLow on-resistanceFast switching speedLow gate driveLow threshold1pinmarkAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain-Source Voltage VDSS 250 VGate Source Voltage VGS 40 VContinuous Drain Current (VGS=10V; TA=25 )*1 ID 230 mA(VGS=10V; TA

7.1. Size:55K kexin
kvn4525z.pdf

SMD Type ICSMD Type Transistors250V N-Channel Enhancement Mode MOSFETKVN4525ZSOT-89 Unit: mmFeatures+0.14.50+0.1 1.50-0.1-0.1High voltage 1.80+0.1-0.1Low on-resistanceFast switching speedLow gate drive2 31+0.1 +0.10.48-0.1 0.53+0.1 0.44-0.1-0.1Low thresholdSOT89 package1. Base1. Source3.00+0.1-0.12. Collector2. Drain3. Emiitter3. GateAbs

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Liste

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