KVN4525E6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KVN4525E6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 40 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.23 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 1.7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8.5 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-163
Búsqueda de reemplazo de KVN4525E6 MOSFET
KVN4525E6 Datasheet (PDF)
kvn4525e6.pdf
SMD Type ICSMD Type Transistors250V N-Channel Enhancement Mode MOSFETKVN4525E6Unit: mmFeaturesHigh voltageLow on-resistanceFast switching speedLow gate driveLow threshold1pinmarkAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain-Source Voltage VDSS 250 VGate Source Voltage VGS 40 VContinuous Drain Current (VGS=10V; TA=25 )*1 ID 230 mA(VGS=10V; TA
kvn4525z.pdf
SMD Type ICSMD Type Transistors250V N-Channel Enhancement Mode MOSFETKVN4525ZSOT-89 Unit: mmFeatures+0.14.50+0.1 1.50-0.1-0.1High voltage 1.80+0.1-0.1Low on-resistanceFast switching speedLow gate drive2 31+0.1 +0.10.48-0.1 0.53+0.1 0.44-0.1-0.1Low thresholdSOT89 package1. Base1. Source3.00+0.1-0.12. Collector2. Drain3. Emiitter3. GateAbs
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History: KUP75N08 | KVN4424Z
Liste
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