Справочник MOSFET. KVN4525E6

 

KVN4525E6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KVN4525E6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 40 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.23 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 1.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT-163

 Аналог (замена) для KVN4525E6

 

 

KVN4525E6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:56K  kexin
 kvn4525e6.pdf

KVN4525E6 KVN4525E6

SMD Type ICSMD Type Transistors250V N-Channel Enhancement Mode MOSFETKVN4525E6Unit: mmFeaturesHigh voltageLow on-resistanceFast switching speedLow gate driveLow threshold1pinmarkAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain-Source Voltage VDSS 250 VGate Source Voltage VGS 40 VContinuous Drain Current (VGS=10V; TA=25 )*1 ID 230 mA(VGS=10V; TA

 7.1. Size:55K  kexin
 kvn4525z.pdf

KVN4525E6 KVN4525E6

SMD Type ICSMD Type Transistors250V N-Channel Enhancement Mode MOSFETKVN4525ZSOT-89 Unit: mmFeatures+0.14.50+0.1 1.50-0.1-0.1High voltage 1.80+0.1-0.1Low on-resistanceFast switching speedLow gate drive2 31+0.1 +0.10.48-0.1 0.53+0.1 0.44-0.1-0.1Low thresholdSOT89 package1. Base1. Source3.00+0.1-0.12. Collector2. Drain3. Emiitter3. GateAbs

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top