KXU03N25 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KXU03N25

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 57 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm

Encapsulados: TO-252

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KXU03N25 datasheet

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KXU03N25

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET KXU03N25 TO-252 Unit mm Features 6.50+0.15 2.30+0.1 -0.15 -0.1 +0.2 +0.8 VDS (V) = 250V 5.30-0.2 0.50-0.7 RDS(ON) 2 (VGS = 10V) 0.127 0.80+0.1 max -0.1 2 1 3 2.3 0.60+0.1 -0.1 +0.15 1. Gate 4.60-0.15 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDSS 250

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