KXU03N25 Todos los transistores

 

KXU03N25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KXU03N25
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 57 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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KXU03N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:105K  kexin
 kxu03n25.pdf pdf_icon

KXU03N25

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETKXU03N25TO-252Unit: mm Features6.50+0.15 2.30+0.1-0.15 -0.1+0.2 +0.8 VDS (V) = 250V5.30-0.2 0.50-0.7 RDS(ON) 2 (VGS = 10V)0.1270.80+0.1 max-0.121 32.3 0.60+0.1-0.1+0.151. Gate4.60-0.152. Drain3. Source Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain-Source Voltage VDSS 250

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History: SI7682DP | GP2M002A060XG

 

 
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