PHB6N60E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PHB6N60E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT404

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHB6N60E

PHB6N60E Datasheet (PDF)

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Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP6N60E, PHB6N60E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 5.4 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 1.8 sGENERAL DESCRIPTIONN-channel, enh

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Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP6N50E, PHB6N50E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 5.9 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 1.5 sGENERAL DESCRIPTIONN-channel, enh

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Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP6ND50E, PHB6ND50E FREDFET, Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated VDSS = 500 V Fast switching Stable off-state characteristics ID = 5.9 A High thermal cycling performanceg Low thermal resistance RDS(ON) 1.5 Fast reverse recovery di

Otros transistores... PHB4N60E , PHB50N03LT , PHB50N06LT , PHB55N03LT , PHB60N06LT , PHB65N06LT , PHB69N03LT , PHB6N50E , TK10A60D , PHB6ND50E , PHB7N60E , PHB80N06LT , PHB87N03LT , PHB8N50E , PHB8ND50E , PHB9N60E , PHD10N10E .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: