PHB6N60E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHB6N60E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm

Тип корпуса: SOT404

Аналог (замена) для PHB6N60E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHB6N60E даташит

 ..1. Size:74K  philips
 php6n60e phb6n60e.pdf pdf_icon

PHB6N60E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP6N60E, PHB6N60E Avalanche energy rated FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA d Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 5.4 A g Low thermal resistance RDS(ON) 1.8 s GENERAL DESCRIPTION N-channel, enh

 9.1. Size:77K  philips
 php6n50e phb6n50e.pdf pdf_icon

PHB6N60E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP6N50E, PHB6N50E Avalanche energy rated FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA d Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 5.9 A g Low thermal resistance RDS(ON) 1.5 s GENERAL DESCRIPTION N-channel, enh

 9.2. Size:58K  philips
 php6nd50e phb6nd50e.pdf pdf_icon

PHB6N60E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP6ND50E, PHB6ND50E FREDFET, Avalanche energy rated FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA d Repetitive Avalanche Rated VDSS = 500 V Fast switching Stable off-state characteristics ID = 5.9 A High thermal cycling performance g Low thermal resistance RDS(ON) 1.5 Fast reverse recovery di

Другие IGBT... PHB4N60E, PHB50N03LT, PHB50N06LT, PHB55N03LT, PHB60N06LT, PHB65N06LT, PHB69N03LT, PHB6N50E, SKD502T, PHB6ND50E, PHB7N60E, PHB80N06LT, PHB87N03LT, PHB8N50E, PHB8ND50E, PHB9N60E, PHD10N10E