L2SK3018WT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: L2SK3018WT1G
   Código: KN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-70

Búsqueda de reemplazo de MOSFET L2SK3018WT1G

L2SK3018WT1G Datasheet (PDF)

..1. Size:311K lrc
l2sk3018wt1g s-l2sk3018wt1g.pdf

L2SK3018WT1GS-L2SK3018WT1GN-channel MOSFET100 mA, 30 V1. FEATURESWe declare that the material of product compliance withRoHS requirements and Halogen Free.S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101SC70(SOT-323) qualified and PPAP capable.Low on-resistance.Drain (3)Fast switching sp

..2. Size:97K lrc
l2sk3018wt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Silicon N-channel MOSFETL2SK3018WT1G100 mA, 30 V3 Features 1) Low on-resistance. 12) Fast switching speed. 23) Low voltage drive (2.5V) makes this device ideal for portable equipment.4) Easily designed drive circuits. SC-705) Easy to parallel. We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.N - ChannelMAX

7.1. Size:558K lrc
l2sk3019lt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Silicon N-Channel MOSFET L2SK3019LT1GApplications3Interfacing,switching(30V,100mA)1Features 2Low on-resistanceSOT 23 Fast switching speed Low voltage drive(2.5V) makes this ideal for portable equipmentEquivalent circuitDrive circuits can be simpleDrainParallel use is easywe declare that the material of product compliance with RoHS

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History: NTP6411AN

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: