LF2802A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LF2802A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 8 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 65 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3.75 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 25 Ohm
Encapsulados: SOT-443A
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LF2802A datasheet
lf2802a.pdf
LF2802A RF Power MOSFET Transistor M/A-COM Products Released; RoHS Compliant 2W, 500-1000MHz, 28V Package Outline Features N-Channel enhancement mode device DMOS structure Lower capacitances for broadband operation Common source configuration Lower noise floor Applications Broadband linear operation 500 MHz to 1400 MHz ABSOLUTE MAXIMUM RAT
lf2805a.pdf
LF2805A RF Power MOSFET Transistor M/A-COM Products Released; RoHS Compliant 5W, 500-1000MHz, 28V Package Outline Features N-Channel enhancement mode device DMOS structure Lower capacitances for broadband operation Common source configuration Lower noise floor Applications Broadband linear operation 500 MHz to 1400 MHz ABSOLUTE MAXIMUM RAT
Otros transistores... L2N7002DMT1G , L2N7002DW1T1G , L2N7002LT1G , L2N7002WT1G , L2SK3018WT1G , L2SK3019LT1G , LDN9926ET1G , LDP9933ET1G , 2N7000 , LF2805A , LJ2015-53 , LN100 , LND01 , LND150K1 , LND150N3 , LND150N8 , LNTA4001NT1G .
History: 3SK77GR | 2SK700 | STP7NA40 | 2SK4151
History: 3SK77GR | 2SK700 | STP7NA40 | 2SK4151
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Liste
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MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
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