LJ2015-53 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LJ2015-53
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
Encapsulados: SO-8
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LJ2015-53 datasheet
cs7456 lj2015-53.pdf
LJ2015-53 CS7456DP N P T =25 1.9 W D A I V =10V,T =25 5.7 A D GS A I 40 A DM V 20 V GS T +150 jm T -55 +150 stg R 65 thJA /W R 1.8 thJC BV V =0V,I =0.25mA 100 V DSS GS D V =10V,I =9.3A 0.025
lj2015-52.pdf
LJ2015-52 FD75C NPN P T =25 75 W CM C I 10 A CM T 150 jm T -55 150 stg V I 2mA 50 V (BR)CBO CB V I 2mA 50 V (BR)CEO CE I V =20V 2 mA CBO CB I V =20V 2 mA CEO EB V 2.5 V BEsat I =5A C I =0.5A B
Otros transistores... L2N7002LT1G , L2N7002WT1G , L2SK3018WT1G , L2SK3019LT1G , LDN9926ET1G , LDP9933ET1G , LF2802A , LF2805A , 8205A , LN100 , LND01 , LND150K1 , LND150N3 , LND150N8 , LNTA4001NT1G , LNTA7002NT1G , LNTR4003NLT1G .
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Liste
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