LJ2015-53 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LJ2015-53
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de LJ2015-53 MOSFET
LJ2015-53 Datasheet (PDF)
cs7456 lj2015-53.pdf

LJ2015-53CS7456DP N P T =25 1.9 WD AI V =10V,T =25 5.7 AD GS AI 40 ADMV 20 VGST +150 jmT -55 +150 stgR 65thJA /WR 1.8thJCBV V =0V,I =0.25mA 100 VDSS GS DV =10V,I =9.3A 0.025
lj2015-52.pdf

LJ2015-52FD75C NPN P T =25 75 WCM CI 10 ACMT 150 jmT -55~150 stgV I 2mA 50 V(BR)CBO CBV I 2mA 50 V(BR)CEO CEI V =20V 2 mACBO CBI V =20V 2 mACEO EBV 2.5 VBEsatI =5ACI =0.5AB
Otros transistores... L2N7002LT1G , L2N7002WT1G , L2SK3018WT1G , L2SK3019LT1G , LDN9926ET1G , LDP9933ET1G , LF2802A , LF2805A , 2SK3878 , LN100 , LND01 , LND150K1 , LND150N3 , LND150N8 , LNTA4001NT1G , LNTA7002NT1G , LNTR4003NLT1G .
History: PMZ200UNE | AFN9910 | SED3032G | SVF7N80K | AO4402G | NP100N04PUH | AOD406
History: PMZ200UNE | AFN9910 | SED3032G | SVF7N80K | AO4402G | NP100N04PUH | AOD406



Liste
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