LP0701LG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LP0701LG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 16 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
Encapsulados: SOIC-8
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LP0701LG datasheet
lp0701.pdf
Supertex inc. LP0701 P-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET Features General Description These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a Ultra-low threshold lateral MOS structure and Supertex s well-proven silicon-gate High input impedance manufacturing process. This combination produces devices Low input capacitance with the power handling capabiliti
Otros transistores... LND01 , LND150K1 , LND150N3 , LND150N8 , LNTA4001NT1G , LNTA7002NT1G , LNTR4003NLT1G , LO4459PT1G , IRF4905 , LP0701N3 , LP2301ALT1G , LP2301LT1G , LP2305DSLT1G , LP2305LT1G , LP2307LT1G , LP3401LT1G , LP3407LT1G .
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