Справочник MOSFET. LP0701LG

 

LP0701LG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LP0701LG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 16 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
 

 Аналог (замена) для LP0701LG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LP0701LG Datasheet (PDF)

 8.1. Size:569K  supertex
 lp0701.pdf pdf_icon

LP0701LG

Supertex inc.LP0701P-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETFeatures General DescriptionThese enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a Ultra-low thresholdlateral MOS structure and Supertexs well-proven silicon-gate High input impedancemanufacturing process. This combination produces devices Low input capacitancewith the power handling capabiliti

Другие MOSFET... LND01 , LND150K1 , LND150N3 , LND150N8 , LNTA4001NT1G , LNTA7002NT1G , LNTR4003NLT1G , LO4459PT1G , IRF4905 , LP0701N3 , LP2301ALT1G , LP2301LT1G , LP2305DSLT1G , LP2305LT1G , LP2307LT1G , LP3401LT1G , LP3407LT1G .

History: FMV05N50E | IRFBC40SPBF | BSC076N04ND

 

 
Back to Top

 


 
.