LSI1012XT1G Todos los transistores

 

LSI1012XT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LSI1012XT1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 6 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-89
 

 Búsqueda de reemplazo de LSI1012XT1G MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

LSI1012XT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:248K  lrc
 lsi1012xt1g.pdf pdf_icon

LSI1012XT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETLSI1012XT1GFEATURESD TrenchFETr Power MOSFET: 1.8-V RatedD Gate-Source ESD Protected: 2000 VD High-Side SwitchingD Low On-Resistance: 0.7 WD Low Threshold: 0.8 V (typ)D Fast Switching Speed: 10 nsSC-89BENEFITSD Ease in Driving SwitchesD Low Offset (Error) VoltageGate 1D Low-Voltage OperationD High-Speed Circui

 7.1. Size:477K  lrc
 lsi1012lt1g s-lsi1012lt1g.pdf pdf_icon

LSI1012XT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.LSI1012LT1GN-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETS-LSI1012LT1GFEATURES3D TrenchFETr Power MOSFET: 1.8-V RatedD Gate-Source ESD ProtectedD High-Side Switching1D Low On-Resistance: 0.7 WD Low Threshold: 0.8 V (typ)2D Fast Switching Speed: 10 nsD S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring SOT-23Unique Site and Control Change Requiremen

Otros transistores... LP4101LT1G , LP4411ET1G , LP9435LT1G , LRK7002WT1G , LS165 , LS166 , LS370 , LS371 , IRFP450 , LXP152ALT1G , NUS5530MNR2G , NVA4001N , NVA4153N , NVA7002NT1G , NVB25P06 , NVB5404N , NVB5426N .

History: FQPF44N10 | GM7002 | QM2N7002E3K1 | AS2300

 

 
Back to Top

 


 
.