NVD5414N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NVD5414N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 55 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 58 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.037 Ohm
Encapsulados: DPAK
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NVD5414N datasheet
nvd5414n.pdf
NTD5414N, NVD5414N Power MOSFET 24 A, 60 V Single N-Channel DPAK Features Low RDS(on) High Current Capability http //onsemi.com Avalanche Energy Specified ID MAX NVD Prefix for Automotive and Other Applications Requiring V(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1) Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 60 V 37 mW @ 10 V 24 A These Dev
nvd5484nl.pdf
NVD5484NL Power MOSFET 60 V, 17 mW, 54 A, Single N-Channel Logic Level, DPAK Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses http //onsemi.com High Current Capability Avalanche Energy Specified V(BR)DSS RDS(on) ID AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 17 mW @ 10 V 60 V 54 A Compliant 23 mW @ 4.5 V
nvd5490nl.pdf
NVD5490NL Power MOSFET 60 V, 64 mW, 17 A, Single N-Channel Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses High Current Capability http //onsemi.com Avalanche Energy Specified AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable V(BR)DSS RDS(on) ID These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 64 mW @ 10 V Compliant 60 V 17 A 85 mW @ 4.5 V MAXIMUM RATINGS (T
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History: HTM200N03 | HRLD72N06
🌐 : EN ES РУ
Liste
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