NVD5414N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NVD5414N
   Código: 5414N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 55 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 25 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 58 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.037 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NVD5414N

NVD5414N Datasheet (PDF)

..1. Size:90K onsemi
nvd5414n.pdf

NTD5414N, NVD5414NPower MOSFET24 A, 60 V Single N-Channel DPAKFeatures Low RDS(on) High Current Capability http://onsemi.com Avalanche Energy SpecifiedID MAX NVD Prefix for Automotive and Other Applications RequiringV(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1)Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP Capable60 V 37 mW @ 10 V 24 A These Dev

9.1. Size:108K onsemi
nvd5484nl.pdf

NVD5484NLPower MOSFET60 V, 17 mW, 54 A, Single N-ChannelLogic Level, DPAKFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseshttp://onsemi.com High Current Capability Avalanche Energy SpecifiedV(BR)DSS RDS(on) ID AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 17 mW @ 10 V60 V 54 ACompliant23 mW @ 4.5 V

9.2. Size:107K onsemi
nvd5490nl.pdf

NVD5490NLPower MOSFET60 V, 64 mW, 17 A, Single N-ChannelFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses High Current Capabilityhttp://onsemi.com Avalanche Energy Specified AEC-Q101 Qualified and PPAP CapableV(BR)DSS RDS(on) ID These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS64 mW @ 10 VCompliant60 V 17 A85 mW @ 4.5 VMAXIMUM RATINGS (T

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