PHD12N10E Todos los transistores

 

PHD12N10E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHD12N10E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT428
 

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PHD12N10E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:61K  philips
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PHD12N10E

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor PHD12N10E GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 100 Vmounting. The device is intended for ID Drain current (DC) 14 Ause in Switched Mode Power Ptot Total power dissip

 8.1. Size:114K  philips
 phb12nq15t phd12nq15t php12nq15t 1.pdf pdf_icon

PHD12N10E

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP12NQ15T, PHB12NQ15T PHD12NQ15TFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 150 V Fast switching Low thermal resistance ID = 12.5 AgRDS(ON) 200 msGENERAL DESCRIPTIONN-channel enhancement mode field-effect power transistor in

Otros transistores... PHB6ND50E , PHB7N60E , PHB80N06LT , PHB87N03LT , PHB8N50E , PHB8ND50E , PHB9N60E , PHD10N10E , IRF530 , PHD2N50E , PHD2N60E , PHD3055E , PHD3N40E , PHD45N03LT , PHD50N03LT , PHD55N03LT , PHD69N03LT .

History: NVDD5894NL

 

 
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