NVF2201N Todos los transistores

 

NVF2201N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NVF2201N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-323
 

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NVF2201N datasheet

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NVF2201N

MMBF2201N, NVF2201N Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts N-Channel SC-70/SOT-323 These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure http //onsemi.com minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in small power management circuitry. Typical applications are 300 mAMPS, 20 VOLTS dc-dc converters, power management in portable and battery-powered products su

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NVF2201N

MMBF2201N, NVF2201N Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts N-Channel SC-70/SOT-323 These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure http //onsemi.com minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in small power management circuitry. Typical applications are 300 mAMPS, 20 VOLTS dc-dc converters, power management in portable and battery-powered products su

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