NVF2201N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NVF2201N

Código: N1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.15 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.4 V

Carga de compuerta (Qg): 1.4 nC

Tiempo de elevación (tr): 2.5 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 25 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT-323

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NVF2201N Datasheet (PDF)

1.1. nvf2201n.pdf Size:93K _update_mosfet

MMBF2201N, NVF2201N Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts N-Channel SC-70/SOT-323 These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure http://onsemi.com minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in small power management circuitry. Typical applications are 300 mAMPS, 20 VOLTS dc-dc converters, power management in portable and battery-powered products su

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