NVF2201N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NVF2201N  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: SOT-323

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NVF2201N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVF2201N даташит

 ..1. Size:97K  onsemi
 mmbf2201n nvf2201n.pdf pdf_icon

NVF2201N

MMBF2201N, NVF2201N Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts N-Channel SC-70/SOT-323 These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure http //onsemi.com minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in small power management circuitry. Typical applications are 300 mAMPS, 20 VOLTS dc-dc converters, power management in portable and battery-powered products su

 ..2. Size:93K  onsemi
 nvf2201n.pdf pdf_icon

NVF2201N

MMBF2201N, NVF2201N Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts N-Channel SC-70/SOT-323 These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure http //onsemi.com minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in small power management circuitry. Typical applications are 300 mAMPS, 20 VOLTS dc-dc converters, power management in portable and battery-powered products su

Другие IGBT... NVD6416AN, NVD6416ANL, NVD6495NL, NVD6820NL, NVD6824NL, NVD6828NL, NVDD5894NL, NVE4153N, IRF840, NVF2955, NVF3055-100, NVF3055L108, NVF5P03, NVF6P02, NVGS3130N, NVGS3136P, NVGS3441