NVF3055-100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NVF3055-100
Código: 3055
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 2.1 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 10.6 nC
Tiempo de elevación (tr): 14 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 35 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.11 Ohm
Empaquetado / Estuche: SOT-223
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NVF3055-100 Datasheet (PDF)
1.1. nvf3055-100.pdf 
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3.1. nvf3055l108.pdf Size:69K _update_mosfet
NTF3055L108, NVF3055L108 Power MOSFET 3.0 A, 60 V, Logic Level, N-Channel SOT-223 Designed for low voltage, high speed switching applications in power http://onsemi.com supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. 3.0 A, 60 V Features RDS(on) = 120 mW • NVF Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC
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