NVF3055-100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NVF3055-100
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223

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NVF3055-100 Datasheet (PDF)

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ntf3055-100t1 nvf3055-100.pdf

NTF3055-100,NVF3055-100Power MOSFET3.0 Amps, 60 VoltsN-Channel SOT-223http://onsemi.comDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridge3.0 A, 60 Vcircuits.RDS(on) = 110 mWFeaturesN-Channel AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVF3055-100D These Devices are Pb-Free and are RoHS Compli

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ntf3055-100 nvf3055-100.pdf

NTF3055-100,NVF3055-100MOSFET Power,N-Channel, SOT-2233.0 A, 60 Vwww.onsemi.comDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridge3.0 A, 60 Vcircuits.RDS(on) = 110 mWFeatures NVF Prefix for Automotive and Other Applications RequiringN-ChannelUnique Site and Control Change Requirements; AE

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NTF3055L108,NVF3055L108Power MOSFET3.0 A, 60 V, Logic Level, N-ChannelSOT-223Designed for low voltage, high speed switching applications in powerhttp://onsemi.comsupplies, converters and power motor controls and bridge circuits.3.0 A, 60 VFeaturesRDS(on) = 120 mW NVF Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUnique Site and Control Change Requirements; AEC

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